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本文目录一览：

• 1、CP晶圆测试

CP晶圆测试

在集成电路制造过程中，术语CP通常指的是ChipProbing，即晶圆测试。这个测试发生在芯片封装之前，工程师会使用探针卡接触晶圆上的每个芯片，进行电气测试，确保它们没有功能问题。CP测试能够检测出芯片是否存在问题，以及是否符合设计要求。

半导体测试中的CP测试与FT测试是两大关键环节，各自承担着不同角色，确保芯片在不同阶段的质量与性能。CP测试，即晶圆测试，其目的是验证整个晶圆中的每个Die是否基本满足设计规格，涵盖电压、电流、时序和功能验证。这一过程在晶圆封装前进行，因为封装后部分功能无法测试，故选择在这一阶段进行评估。

在芯片世界中，CP通常指的是晶圆测试（Chip Probing），这是芯片制造流程中至关重要的环节。CP测试的目标是对整个晶圆上的每一个Die进行功能验证，以确保它们符合设计要求，包括电压、电流、时序和功能特性。在测试流程中，晶圆在封装前会先经历CP测试。

晶圆检测流程（CP Circuiq Probing）：在晶圆封装前，通过探针台与测试机配合，对晶圆上的裸芯片进行功能与电参数测试。具体步骤如下：探针台自动传输晶圆至测试位，芯片的Pad点与测试机功能模块通过探针与专用连接线连接。

CP测试，即晶圆测试，是芯片制造流程中的关键环节，位于晶圆制造和封装之间。它的主要目的是在封装前筛选出因工艺缺陷而可能成为次品的裸片，以提升良品率，降低后续封测成本。通过探针与测试机台连接，对裸片进行逻辑、边界、存储器、电源、信号、RF以及其他功能的测试，确保芯片性能符合设计规格。

芯片测试术语介绍CP、FT、WAT CP（Wafer Probe）是指在晶圆级别进行的测试，主要目的是筛选出不良的Die（芯片），以降低封装和测试的成本。通过CP测试，可以直接了解Wafer的良率。

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